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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
14年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401连0755-82537787深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼11016516
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深圳市芯幂科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同号)Alien深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240511012790
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BAS21HT3G PDF资料
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- 制造商:ONSEMI[ON Semiconductor]
- PDF文件大小:110.37 Kbytes
- PDF文件页数:共6页
- 描述:High Voltage Switching Diode
BAS21HT3G技术规格
- 二极管类型:标准
- 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):250V
- 电流 - 平均整流(Io):200mA(DC)
- 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.25V @ 200mA
- 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
- 反向恢复时间(trr):50ns
- 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V
- 不同 Vr,F 时的电容:5pF @ 0V,1MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-76,SOD-323
- 供应商器件封装:SOD-323
- 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C
- 无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs
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