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AON7400 PDF资料
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- 制造商：AOSMD[Alpha & Omega Semiconductors]
- PDF文件大小：160.61 Kbytes
- PDF文件页数：共4页
- 描述：N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AON7400技术规格
- FET 类型：N 沟道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：10A（Ta），26A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：28nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±12V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1452pF @ 15V
- 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），35W（Tc）
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：12.5 毫欧 @ 10A，10V
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装
- 供应商器件封装：8-DFN（3x3）
- 封装/外壳：8-PowerSMD，扁平引线
- 无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs
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