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50N06G-TN3-R PDF资料
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- 制造商:UTC[Unisonic Technologies]
- PDF文件大小:325.52 Kbytes
- PDF文件页数:共8页
- 描述:N-CHANNEL POWER MOSFET
50N06L-TA3-T技术规格
- 商品类型MOS(场效应管)
- 漏源电压(Vdss)60V
- 连续漏极电流(Id)(25°C 时)50A(Tc)
- 栅源极阈值电压4V @ 250uA
- 漏源导通电阻23mΩ @ 25A,10V
- 最大功率耗散(Ta=25°C)120W(Tc)
- 类型N沟道
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