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深圳市深创鑫科技有限公司
6年
0755-82767825,0755-8257830813530800189“15118121480:微信同号曹瑞82578308深圳市福田区深南中路3006号佳和5C05811012815
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国丰临科技(深圳)有限公司
4年
0755-8860448418038004416郭国利大厦2701室11016578
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
12年
0755-8366305618929374037连0755-82537787深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼11016516
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2SK3756(TE12L,F) PDF资料
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- 制造商:Toshiba
- PDF文件大小:173.73 Kbytes
- PDF文件页数:共5页
- 描述:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 7V VDSS
2SK3756(TE12L,F)技术规格
- 制造商:Toshiba
- 产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
- RoHS:是
- 晶体管极性:N-Channel
- 技术:Si
- Id-连续漏极电流:1 A
- Vds-漏源极击穿电压:7.5 V
- 增益:12 dB
- 安装风格:SMD/SMT
- 封装 / 箱体:PW-Mini-3
- 封装:Cut Tape
- 封装:MouseReel
- 封装:Reel
- 配置:Single
- 工作频率:470 MHz
- 系列:2SK3756
- 类型:RF Power MOSFET
- 商标:Toshiba
- Pd-功率耗散:3 W
- 产品类型:RF MOSFET Transistors
- 工厂包装数量:1000
- 子类别:MOSFETs
- Vgs - 栅极-源极电压:3 V
- Vgs th-栅源极阈值电压:0.95 V
- 单位重量:50 mg
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