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    STW3N150 原装正品 现货欢迎询价

    • STW3N150请询价2024-04-22 05:54
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    深圳市波光电子有限公司

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      5

      年
    • 营业执照：已审核
    • 经营品牌：Everlight GD NXP ST Ti
    • 联　系人：王俊葵
    • 在线联系：
    • 联系电话：13352931985
    • 电子邮件：350279282@qq.com
    • 手　　机：15118847778
    • 地　　址：深圳市福田区华强北宝华大厦1701(都会电子城2C010)
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    STW3N150数据手册
    STW3N150参数信息
    参数参数值
    制造商
    STMicroelectronics
    产品种类
    MOSFET
    RoHS
    是
    技术
    Si
    安装风格
    Through Hole
    封装 / 箱体
    TO-247-3
    通道数量
    1 Channel
    晶体管极性
    N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压
    1.5 kV
    Id-连续漏极电流
    2.5 A
    Rds On-漏源导通电阻
    9 Ohms
    Vgs th-栅源极阈值电压
    3 V
    Vgs - 栅极-源极电压
    10 V
    Qg-栅极电荷
    29.3 nC
    最大工作温度
    + 150 C
    Pd-功率耗散
    140 W
    配置
    Single
    通道模式
    Enhancement
    商标名
    PowerMESH
    封装
    Tube
    高度
    20.15 mm
    长度
    15.75 mm
    系列
    STW3N150
    晶体管类型
    1 N-Channel Power MOSFET
    宽度
    5.15 mm
    商标
    STMicroelectronics
    正向跨导 - 最小值
    2.6 S
    下降时间
    61 ns
    产品类型
    MOSFET
    上升时间
    47 ns
    工厂包装数量
    600
    子类别
    MOSFETs
    典型关闭延迟时间
    45 ns
    典型接通延迟时间
    24 ns
    单位重量
    38 g
    商品详情
    MOSFET 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel

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