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    结型场效应管(N沟道)

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    NVMFS5C426NWFAFT1G 优势现货

    • NVMFS5C426NWFAFT1G请询价2024-04-16 05:52
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    深圳市芯脉实业有限公司

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    • 营业执照：已审核
    • 经营品牌：Infineon Microchip NXP ON ST Ti
    • 联　系人：马先生，周小姐
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    • 电子邮件：grace@chipspulse.com
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    • 地　　址：深圳市龙岗区坂田街道星河WORLD-A座2203A
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    NVMFS5C426NWFAFT1G数据手册
    NVMFS5C426NWFAFT1G参数信息
    参数参数值
    制造商
    ON Semiconductor
    产品种类
    MOSFET
    RoHS
    是
    技术
    Si
    安装风格
    SMD/SMT
    封装 / 箱体
    SO-FL-8
    通道数量
    1 Channel
    晶体管极性
    N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压
    40 V
    Id-连续漏极电流
    41 A, 235 A
    Rds On-漏源导通电阻
    1.1 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压
    2.5 V
    Vgs - 栅极-源极电压
    20 V
    Qg-栅极电荷
    65 nC
    最小工作温度
    - 55 C
    最大工作温度
    + 175 C
    Pd-功率耗散
    3.8 W, 128 W
    配置
    Single
    通道模式
    Enhancement
    资格
    AEC-Q101
    封装
    Cut Tape
    封装
    MouseReel
    封装
    Reel
    晶体管类型
    1 N-Channel
    商标
    ON Semiconductor
    下降时间
    9 ns
    产品类型
    MOSFET
    上升时间
    47 ns
    工厂包装数量
    1500
    子类别
    MOSFETs
    典型关闭延迟时间
    36 ns
    典型接通延迟时间
    15 ns
    商品详情
    MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN

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