其它集成电路

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电子元器件 MUN5333DW1T1G

  • MUN5333DW1T1G请询价2021-07-26 10:05
  • ON
  • 3000PCS
  • 12000PCS
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供应商信息

深圳市鹏欣电子科技有限公司

  • 会员资质:

    4

  • 营业执照:已审核
  • 经营品牌:Atmel Diodes GD ON ST Ti
  • 联 系人:王,张
  • 在线联系:Email:nancypx@126.com
  • 联系电话:0755-22671387,0755-22671570
  • 电子邮件:nancypx@126.com
  • 手  机:15814459085/13537563453
  • 地  址:平山一路云谷二期3栋205
MUN5333DW1T1G数据手册
MUN5333DW1T1G参数信息
参数参数值
晶体管类型:
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电阻器-基底(R1)(欧姆):
4.7k
电阻器-发射极基底(R2)(欧姆):
47k
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值):
80 @ 5mA,10V
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值):
250mV @ 1mA,10mA
电流-集电极截止(最大值):
500nA
功率-最大值:
250mW
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
SC-88/SC70-6/SOT-363
封装形式Package:
SC-88
极性Polarity:
NPN+PNP
集电极最大允许电流Ic:
100mA
集电极_发射极击穿电压VCEO:
50V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):
250mV @ 1mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值):
500nA
功率 - 最大值:
250mW
封装/外壳:
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
电流 - 集电极(Ic)(最大值):
100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):
50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):
4.7k
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):
47k
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):
80 @ 5mA,10V
无铅情况/RoHs:
无铅/符合RoHs
商品详情
本公司主要代理华大MCU、上海贝岭全系列、聚洵全系列、航顺、湘江钽电容。
分销ATMEL、ST、TI、AOS、ON、NXP、ROHM、Littelfuse、DIODES、INFINEON等欧美一线品牌,电话:15814459085(王小姐)/QQ2630441557,13537563453(张小姐)

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