增强型MOS管(N沟道)

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DIODES BSS138DW-7-F

  • BSS138DW-7-F请询价2024-04-18 05:33
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深圳市宝利士科技有限公司

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  • 地  址:华强北路新华强电子世界Q1B042-Q1B043
BSS138DW-7-F数据手册
BSS138DW-7-F参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Id-连续漏极电流
200 mA
Rds On-漏源导通电阻
3.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
200 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
2.2 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
BSS138
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.35 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
100 mS
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
6 mg
商品详情
产品属性  属性值
制造商  Diodes Incorporated 
产品种类  MOSFET 
RoHS   详细信息  
技术  Si 
安装风格  SMD/SMT 
封装 / 箱体  SOT-363-6 
通道数量  2 Channel 
晶体管极性  N-Channel 
Vds-漏源极击穿电压  50 V 
Id-连续漏极电流  200 mA 
Rds _disibledevent="xl66">  6 mg  
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