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STP75NF75 现货热卖

  • STP75NF75面议2024-01-06 05:33
  • ST
  • 10
  • 6850
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供应商信息

深圳市佳杰伟业科技有限公司

  • 会员资质:

    9

  • 营业执照:已审核
  • 经营品牌:ADI Atmel Maxim ON Toshiba Xilinx
  • 联 系人:张小姐,朱先生
  • 在线联系:
  • 联系电话:0755-82571165,82731845
  • 电子邮件:j1050899409@163.com
  • 手  机:18165782726
  • 地  址:深圳市福田区振兴路华匀1栋5A02 .门店:华强北新亚洲电子市场(本公司为一般纳税人,可开具13%增值税发
STP75NF75数据手册
STP75NF75参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
11 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
117 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
STripFET
封装
Tube
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
系列
STP75NF75
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
100 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
66 ns
典型接通延迟时间
25 ns
单位重量
2 g
商品详情

   封装 / 箱体: TO-220FP-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 75 V
Id-连续漏极电流: 80 A
Rds On-漏源导通电阻: 11 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 117 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 45 W
配置: Single
通道模式: Enhancement

深圳市佳杰伟业科技有限公司,全新现货特价热卖,联系人:张小姐 0755/82731845;13411851891,QQ2511758816

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