增强型MOS管(N沟道)

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STGP7NB60HD

  • STGP7NB60HD1元2024-03-12 05:54
  • ST
  • 10pcs
  • 1000K
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供应商信息

新加坡联合科技有限公司深圳代表处

  • 会员资质:

    12

  • 营业执照:未审核
  • 经营品牌:Vlsi xmos
  • 联 系人:Elaine
  • 在线联系:
  • 联系电话:18825244885
  • 电子邮件:1209277317@qq.com
  • 手  机:18825244885
  • 地  址:振兴路101华匀大厦1棟801
STGP7NB60HD数据手册
STGP7NB60HD参数信息
参数参数值
特色产品:
"Tail-Less" 600 V IGBT V Series
标准包装:
1,000
类别:
分立半导体产品
家庭:
IGBT - 单路
系列:
PowerMESH??
包装:
管件
IGBT 类型:
-
电压 - 集射极击穿(最大值):
600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值):
14A
脉冲电流 - 集电极 (Icm):
56A
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):
2.8V @ 15V,7A
功率 - 最大值:
80W
开关能量:
85µJ(关)
输入类型:
标准
栅极电荷:
42nC
25°C 时 Td(开/关)值:
15ns/75ns
测试条件:
480V,7A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr):
100ns
封装/外壳:
TO-220-3
安装类型:
通孔
供应商器件封装:
TO-220AB
商品详情
STGP7NB60HD

参数:IGBT;600V,7A,80W

性能:

- HIGH INPUT IMPEDANCE
  (VOLTAGEDRIVEN)
- LOW ON-VOLTAGEDROP (Vcesat)
- LOW GATE CHARGE
- HIGH CURRENT CAPABILITY
- VERY HIGH FREQUENCY OPERATION
- OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT
- CO-PACKAGED WITH TURBOSWITCH]
   ANTIPARALLEL DIODE

品牌:ST

封装:TO-220

包装:1K个/盒,50个/管
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