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    IPW60R045CP

    • IPW60R045CP请询价2024-03-19 05:15
    • 1
    • 常备大量现货
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    深圳市淘芯电子有限公司

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    • 会员资质：

      12

      年
    • 营业执照：已审核
    • 经营品牌：HiSilicon Semtech
    • 联　系人：郑小姐
    • 在线联系：
    • 联系电话：0755-82796668
    • 电子邮件：2973016636@qq.com
    • 手　　机：18926036359
    • 地　　址：深圳市福田区新洲南文化创意园A座513
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    IPW60R045CP数据手册
    IPW60R045CP参数信息
    参数参数值
    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
    6800pF @ 100V
    Vgs（最大值）：
    ±20V
    功率耗散（最大值）：
    431W（Tc）
    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
    45 毫欧 @ 44A，10V
    工作温度：
    -55°C ~ 150°C（TJ）
    安装类型：
    通孔
    封装/外壳：
    PG-TO247-3
    FET 类型：
    N 沟道
    技术：
    MOSFET（金属氧化物）
    漏源极电压（Vdss）：
    650V
    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
    60A（Tc）
    驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
    10V
    不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
    3.5V @ 3mA
    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
    190nC @ 10V
    安装风格：
    ThroughHole
    通道数量：
    1Channel
    晶体管极性：
    N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压：
    600V
    Id-连续漏极电流：
    60A
    Rds On-漏源导通电阻：
    40mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压：
    2.5V
    Vgs - 栅极-源极电压：
    20V
    Qg-栅极电荷：
    190nC
    最小工作温度：
    -55C
    最大工作温度：
    +150C
    配置：
    Single
    Pd-功率耗散：
    431W
    通道模式：
    Enhancement
    商标名：
    CoolMOS
    封装：
    Tube
    高度：
    21.1mm
    长度：
    16.13mm
    系列：
    CoolMOSCE
    晶体管类型：
    1N-Channel
    宽度：
    5.21mm
    下降时间：
    10ns
    上升时间：
    20ns
    典型关闭延迟时间：
    100ns
    典型接通延迟时间：
    30ns
    无铅情况/RoHs：
    无铅/符合RoHs
    商品详情
    制造商: Infineon
    产品种类: MOSFET
    RoHS: 符合RoHS 详细信息
    商标: Infineon Technologies
    安装风格: Through Hole
    封装 / 箱体: TO-247-3
    晶体管极性: N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压: 650 V
    Id-连续漏极电流: 60 A
    Rds On-漏源导通电阻: 45 mOhms
    Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
    最大工作温度: + 150 C
    封装: Tube
    通道模式: Enhancement
    配置: Single
    下降时间: 10 ns
    最小工作温度: - 55 C
    Pd-功率耗散: 431 W
    上升时间: 20 ns
    系列: CoolMOS CP
    工厂包装数量: 240
    商标名: CoolMOS
    典型关闭延迟时间: 100 ns
    典型接通延迟时间: 30 ns
    零件号别名: IPW60R045CPFKSA1 IPW60R045CPXK SP000067149

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