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BSC077N12NS3G 库存现货供应

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本公司成立2008年,拥有14年供货经验,

我们只从原厂或者代理商正规渠道进货,保证原装正品。

本公司有海量现货,共有10万多种元器件。现货当天发货!

本公司还提供订货和代购服务。如现货库存不足,我们提供订货服务, 国外交货最快5-7个工作日

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制造商:

Infineon

 

产品种类:

MOSFET

 

技术:

Si

 

安装风格:

SMD/SMT

 

封装 / 箱体:

TDSON-8

 

晶体管极性:

N-Channel

 

通道数量:

1 Channel

 

Vds-漏源极击穿电压:

120 V

 

Id-连续漏极电流:

98 A

 

Rds On-漏源导通电阻:

6.6 mOhms

 

Vgs - 栅极-源极电压:

- 20 V, + 20 V

 

Vgs th-栅源极阈值电压:

2 V

 

Qg-栅极电荷:

88 nC

 

最小工作温度:

- 55 C

 

最大工作温度:

+ 150 C

 

Pd-功率耗散:

139 W

 

通道模式:

Enhancement

 

封装:

Reel

 

封装:

Cut Tape

 

封装:

MouseReel

 

商标:

Infineon Technologies

 

配置:

Single

 

下降时间:

7 ns

 

正向跨导 - 最小值:

40 S

 

高度:

1.27 mm

 

长度:

5.9 mm

 

产品类型:

MOSFET

 

上升时间:

8 ns

 

工厂包装数量:

5000

 

子类别:

MOSFETs

 

晶体管类型:

1 N-Channel

 

类型:

OptiMOS 3 Power-Transistor

 

典型关闭延迟时间:

26 ns

 

典型接通延迟时间:

15 ns

 

宽度:

5.15 mm

 

零件号别名:

BSC77N12NS3GXT SP000652750 BSC077N12NS3GATMA1

 

单位重量:

122.800 mg

 

窗体底端

 

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