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深圳华芯源电子 IPD70N03S4L-04 TO-252-3 MOSFET供应原装现货

  • 联 系人:张昕甜
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新闻详细

产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Infineon 
产品种类: MOSFET 
RoHS:  详细信息 
技术: Si 
安装风格: SMD/SMT 
封装 / 箱体: TO-252-3 
晶体管极性: N-Channel 
通道数量: 1 Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 30 V 
Id-连续漏极电流: 70 A 
Rds On-漏源导通电阻: 3.6 mOhms 
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V 
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V 
Qg-栅极电荷: 48 nC 
最小工作温度: - 55 C 
最大工作温度: + 175 C 
Pd-功率耗散: 68 W 
通道模式: Enhancement 
资格: AEC-Q101 
商标名: OptiMOS 
封装: Reel 
封装: Cut Tape 
封装: MouseReel 
商标: Infineon Technologies 
配置: Single 
下降时间: 5 ns 
高度: 2.3 mm 
长度: 6.5 mm 
产品类型: MOSFET 
上升时间: 5 ns 
系列: OptiMOS-T2 
2500 
子类别: MOSFETs 
晶体管类型: 1 N-Channel 
典型关闭延迟时间: 27 ns 
典型接通延迟时间: 7 ns 
宽度: 6.22 mm 
零件号别名: IPD7N3S4L4XT SP000274986 IPD70N03S4L04ATMA1 
单位重量: 330 mg 

 

产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Infineon 
产品种类: MOSFET 
RoHS:  详细信息 
技术: Si 
安装风格: SMD/SMT 
封装 / 箱体: TO-252-3 
晶体管极性: N-Channel 
通道数量: 1 Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 30 V 
Id-连续漏极电流: 70 A 
Rds On-漏源导通电阻: 3.6 mOhms 
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V 
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V 
Qg-栅极电荷: 48 nC 
最小工作温度: - 55 C 
最大工作温度: + 175 C 
Pd-功率耗散: 68 W 
通道模式: Enhancement 
资格: AEC-Q101 
商标名: OptiMOS 
封装: Reel 
封装: Cut Tape 
封装: MouseReel 
商标: Infineon Technologies 
配置: Single 
下降时间: 5 ns 
高度: 2.3 mm 
长度: 6.5 mm 
产品类型: MOSFET 
上升时间: 5 ns 
系列: OptiMOS-T2 
2500 
子类别: MOSFETs 
晶体管类型: 1 N-Channel 
典型关闭延迟时间: 27 ns 
典型接通延迟时间: 7 ns 
宽度: 6.22 mm 
零件号别名: IPD7N3S4L4XT SP000274986 IPD70N03S4L04ATMA1 
单位重量: 330 mg 

 

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