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IPB020N08N5

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新闻详细
 
型号:IPB020N08N5
品牌:INFINEON
批号:21+
封装:TO-263
类型
描述
选择 
类别
制造商
Infineon Technologies
系列
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.8V @ 208µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
166 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
12100 pF @ 40 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
300W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-3
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
基本产品编号
环境与出口分类
属性 描述
RoHS 状态 符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限)
REACH 状态 非 REACH 产品
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 

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