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    IPB020N08N5

    • 联　系人：万小姐，黄小姐
    • 联系电话：0755-83285903 13480602769，13691989570
    • 电子邮件：djndz888@163.com
    • 在线联系：Email:djndz888@163.com
    • 联系地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中10楼10A28
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    新闻详细
     
    型号：IPB020N08N5
    品牌：INFINEON
    批号：21+
    封装：TO-263
    类型
    描述
    选择 
    类别
    制造商
    Infineon Technologies
    系列
    包装
    卷带（TR）
    剪切带（CT）
    Digi-Reel® 得捷定制卷带
    零件状态
    在售
    FET 类型
    N 通道
    技术
    MOSFET（金属氧化物）
    漏源电压（Vdss）
    80 V
    25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    120A（Tc）
    驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    6V，10V
    不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    2 毫欧 @ 100A，10V
    不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    3.8V @ 208µA
    不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
    166 nC @ 10 V
    Vgs（最大值）
    ±20V
    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    12100 pF @ 40 V
    FET 功能
    -
    功率耗散（最大值）
    300W（Tc）
    工作温度
    -55°C ~ 175°C（TJ）
    安装类型
    表面贴装型
    供应商器件封装
    PG-TO263-3
    封装/外壳
    TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
    基本产品编号
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    规格书
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    HTML 规格书
    仿真模型
    环境与出口分类
    属性 描述
    RoHS 状态 符合 ROHS3 规范
    湿气敏感性等级 (MSL) 1（无限）
    REACH 状态 非 REACH 产品
    ECCN EAR99
    HTSUS 8541.29.0095

     

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