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    CSD18532Q5B 进口代理

    • 联　系人：谭玉丽
    • 联系电话：0755-83267816 19129491949(手机优先)微信同号
    • 电子邮件：candy@yichuanghui.com
    • 在线联系：
    • 联系地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
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    新闻详细
    制造商: Texas Instruments
    产品种类: MOSFET
    RoHS:  详细信息
    技术: Si
    安装风格: SMD/SMT
    封装 / 箱体: VSON-CLIP-8
    晶体管极性: N-Channel
    通道数量: 1 Channel
    Vds-漏源极击穿电压: 60 V
    Id-连续漏极电流: 172 A
    Rds On-漏源导通电阻: 3.2 mOhms
    Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
    Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V
    Qg-栅极电荷: 44 nC
    最小工作温度: - 55 C
    最大工作温度: + 150 C
    Pd-功率耗散: 156 W
    通道模式: Enhancement
    商标名: NexFET
    封装: Reel
    封装: Cut Tape
    封装: MouseReel
    商标: Texas Instruments
    配置: Single
    下降时间: 3.1 ns
    正向跨导 - 最小值: 143 S
    高度: 1 mm
    长度: 6 mm
    产品类型: MOSFET
    上升时间: 7.2 ns
    系列: CSD18532Q5B
    工厂包装数量: 2500
    子类别: MOSFETs
    晶体管类型: 1 N-Channel
    典型关闭延迟时间: 22 ns
    典型接通延迟时间: 5.8 ns
    宽度: 5 mm
    单位重量: 120.500 mg
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