企业新闻

IRFB38N20DPBF 进口代理

  • 联 系人:刘春兰
  • 联系电话:0755-83267817 19129491434(手机优先)微信同号
  • 电子邮件:ychhn02@yichuanghui.com
  • 在线联系:Email:ychhn02@yichuanghui.com
  • 联系地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
购买、咨询产品请提交询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
  • QQ:
新闻详细
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 44 A
Rds On-漏源导通电阻: 54 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
Qg-栅极电荷: 91 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 3.8 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Infineon / IR
配置: Single
下降时间: 47 ns
正向跨导 - 最小值: 17 S
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 95 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 29 ns
典型接通延迟时间: 16 ns
宽度: 4.4 mm
零件号别名: IRFB38N20DPBF SP001556010
单位重量: 2 g

  • 关注官方微信

  • 联系我们
  • 电话:13714778017
  • 周一至周六:9:00-:18:00
  • 在线客服:

天天IC网由深圳市四方好讯科技有限公司独家运营

天天IC网 ( www.ttic.cc ) 版权所有©2014-2021 粤ICP备15059004号