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    IRFR010PBF 已到货

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    制造商: Vishay
    产品种类: MOSFET
    RoHS: 详细信息
    技术: Si
    安装风格: SMD/SMT
    封装 / 箱体: TO-252-3
    晶体管极性: N-Channel
    通道数量: 1 Channel
    Vds-漏源极击穿电压: 50 V
    Id-连续漏极电流: 8.2 A
    Rds On-漏源导通电阻: 200 mOhms
    Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
    Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
    Qg-栅极电荷: 10 nC
    最小工作温度: - 55 C
    最大工作温度: + 150 C
    Pd-功率耗散: 25 W
    通道模式: Enhancement
    封装: Tube
    配置: Single
    系列: IRFR
    晶体管类型: 1 N-Channel
    商标: Vishay Semiconductors
    下降时间: 23 ns
    产品类型: MOSFET
    上升时间: 33 ns
    工厂包装数量: 3000
    子类别: MOSFETs
    典型关闭延迟时间: 12 ns
    典型接通延迟时间: 11 ns
    零件号别名: IRFR010PBF-BE3
    单位重量: 330 mg

     


    图像 制造商零件编号 描述 库存
    多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT
    		132,918
    MOSFET
    		2,591
    MOSFET
    		4,989
    MOSFET
    		507
    稳压二极管
    		10,560
    MOSFET
    		10,377
    MOSFET
    		1,958
    MOSFET
    		3,354
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