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DMG6602SVT-7 进口现货供应

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制造商:

Diodes Incorporated

 

产品种类:

MOSFET

 

技术:

Si

 

安装风格:

SMD/SMT

 

封装 / 箱体:

TSOT-26-6

 

晶体管极性:

N-Channel, P-Channel

 

通道数量:

2 Channel

 

Vds-漏源极击穿电压:

30 V

 

Id-连续漏极电流:

3.4 A, 2.8 A

 

Rds On-漏源导通电阻:

100 mOhms, 140 mOhms

 

Vgs - 栅极-源极电压:

- 20 V, + 20 V

 

Qg-栅极电荷:

9 nC

 

最小工作温度:

- 55 C

 

最大工作温度:

+ 150 C

 

Pd-功率耗散:

840 mW

 

通道模式:

Enhancement

 

封装:

Cut Tape

 

封装:

MouseReel

 

封装:

Reel

 

配置:

Dual

 

晶体管类型:

1 N-Channel, 1 P-Channel

 

商标:

Diodes Incorporated

 

正向跨导 - 最小值:

4 S

 

下降时间:

3 ns

 

产品类型:

MOSFET

 

上升时间:

5 ns

 

工厂包装数量

3000

 

子类别:

MOSFETs

 

典型关闭延迟时间:

13 ns

 

典型接通延迟时间:

3 ns

 

单位重量:

8 mg

 

窗体底端

 

联系人; 雷春艳

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