ZXTP2008GTA
规格信息:

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-223-4

晶体管极性:PNP

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V

集电极—基极电压 VCBO:- 50 V

发射极 - 基极电压 VEBO:7 V

最大直流电集电极电流:5.5 A

增益带宽产品fT:110 MHz

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:ZXTP2008

直流电流增益 hFE 最大值:300

高度:1.65 mm

长度:6.7 mm

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

宽度:3.7 mm

商标:Diodes Incorporated

集电极连续电流:- 5.5 A

Pd-功率耗散:3 W

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:1000

子类别:Transistors

单位重量:112 mg

型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数下载地址相关型号第一页预览产品购买
ZXTP2008GTA30V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223 ZETEX[Zetex Semiconductors]ZETEX[Zetex Semiconductors]的LOGO-天天IC网111.98 Kbytes共6页ZXTP2008GTA的PDF地址ZX5T949G,ZX5T955G,ZX5T951G,ZX5T949Z,ZXTN2007G,ZXTP2013G,ZX5T849G,ZXTP2012G,ZXTP2008Z ZXTP2008GTA的PDF第一页预览图片 产品购买
ZXTP2008GTA30V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223 DIODES[Diodes Incorporated]DIODES[Diodes Incorporated]的LOGO-天天IC网120.79 Kbytes共6页ZXTP2008GTA的PDF地址 ZXTP2008GTA的PDF第一页预览图片 产品购买
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