ZXTD09N50DE6TA
规格信息:

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-6

晶体管极性:NPN

配置:Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V

集电极—基极电压 VCBO:50 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

集电极—射极饱和电压:160 mV

最大直流电集电极电流:1 A

增益带宽产品fT:215 MHz

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:ZXTD09

直流电流增益 hFE 最大值:200 at 10 mA, 2 V

高度:1.3 mm

长度:3.1 mm

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

宽度:1.8 mm

商标:Diodes Incorporated

集电极连续电流:1 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:200 at 10 mA, 2 V, 300 at 100 mA, 2 V, 200 at 500 mA, 2 V, 75 at 1 A, 2 V, 20 at 1.5 A, 2 V

Pd-功率耗散:900 mW

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:3000

子类别:Transistors

单位重量:6.500 mg

型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数PDF文件相关型号第一页预览产品购买
ZXTD09N50DE6TADUAL 50V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR ZETEX[Zetex Semiconductors]ZETEX[Zetex Semiconductors]的LOGO-天天IC网288.5 Kbytes共8页ZXTD09N50DE6TA的PDF文件地址ZXT12N50DX,ZXT10N50DE6,ZXTDBM832,ZXT13N50DE6,ZXT14N50DX,ZXT12N20DX,ZXT13N15DE6,ZXTDC3M832,ZXT13N20DE6,BCX41 ZXTD09N50DE6TA的PDF第一页预览图片 产品购买
ZXTD09N50DE6TADUAL 50V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR DIODES[Diodes Incorporated]DIODES[Diodes Incorporated]的LOGO-天天IC网298.63 Kbytes共8页ZXTD09N50DE6TA的PDF文件地址 ZXTD09N50DE6TA的PDF第一页预览图片 产品购买
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