Rohs：Lead free / RoHS Compliant
标准包装：1,000
FET 型
：MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点：Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）：450V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C：140mA
Rds（最大）@ ID，VGS：50 Ohm @ 100mA, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id：3V @ 1mA
栅极电荷（Qg）@ VGS：-
输入电容（Ciss）@ Vds的：70pF @ 25V
功率 - 最大：2W
安装类型
：Surface Mount
包/盒
：TO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装：SOT-223
包装材料
：Tape & Reel (TR)
包装：4SOT-223
通道模式：Enhancement
最大漏源电压：450 V
最大连续漏极电流：0.14 A
RDS -于：50000@10V mOhm
最大门源电压：±20 V
典型导通延迟时间：7(Max) ns
典型关闭延迟时间：16(Max) ns
典型下降时间：10(Max) ns
安装：Surface Mount
标准包装：Tape & Reel
最大门源电压：±20
引脚数：4
欧盟RoHS指令：Compliant
包装宽度：3.7(Max)
标准包装名称：SOT-223
包装高度：1.65(Max)
渠道类型：N
封装：Tape and Reel
最大漏源电阻：50000@10V
最大漏源电压：450
每个芯片的元件数：1
标签：Tab
供应商封装形式：SOT-223
包装长度：6.7(Max)
PCB：3
最大连续漏极电流：0.14
最大功率耗散：2000
铅形状：Gull-wing
单位包：1000
最小起订量：1000
FET特点：Logic Level Gate
安装类型：Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：140mA (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id：3V @ 1mA
供应商设备封装：SOT-223
其他名称：ZXMN0545G4TR
开态Rds（最大）@ Id ，V GS：50 Ohm @ 100mA, 10V
FET型：MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大：2W
漏极至源极电压（Vdss）：450V
输入电容（Ciss ） @ VDS：70pF @ 25V
封装/外壳：TO-261-4, TO-261AA
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量：1000
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
配置：Single
源极击穿电压：+/- 20 V
连续漏极电流：0.14 A
安装风格：SMD/SMT
RDS（ON）：50 Ohms
功率耗散：2 W
封装/外壳：SOT-223
上升时间：7 ns
漏源击穿电压：450 V
RoHS：RoHS Compliant
下降时间：10 ns
栅源电压（最大值）：�20 V
漏源导通电阻：50 ohm
包装类型：SOT-223
极性：N
类型：Power MOSFET
元件数：1