Rohs：Lead free / RoHS Compliant

标准包装：1,000

FET 型 ：4 N-Channel (H-Bridge)

FET特点：Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：60V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：1.4A

Rds（最大）@ ID，VGS：300 mOhm @ 1.8A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：3V @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：3.2nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：166pF @ 40V

功率 - 最大：1.1W

安装类型 ：Surface Mount

包/盒 ：SOT-223-8

供应商器件封装：SM8

包装材料 ：Tape & Reel (TR)

包装：8SM8

通道模式：Enhancement

最大漏源电压：60 V

最大连续漏极电流：1.6 A

RDS -于：300@10V mOhm

最大门源电压：±20 V

典型导通延迟时间：1.8 ns

典型上升时间：1.4 ns

典型关闭延迟时间：4.9 ns

典型下降时间：2 ns

工作温度：-55 to 150 °C

安装：Surface Mount

标准包装：Tape & Reel

最大门源电压：±20

欧盟RoHS指令：Compliant

最高工作温度：150

最低工作温度：-55

包装高度：1.6(Max)

最大功率耗散：1600

渠道类型：N

封装：Tape and Reel

最大漏源电阻：300@10V

最大漏源电压：60

每个芯片的元件数：4

包装宽度：3.7(Max)

供应商封装形式：SM8

包装长度：6.7(Max)

PCB：8

最大连续漏极电流：1.6

引脚数：8

P（ TOT ）：1.7W

匹配代码：ZXMHN6A07T8TA

单位包：1000

标准的提前期：16 weeks

最小起订量：1000

无铅Defin：RoHS-conform

汽车：NO

我（D ）：1.8A

V（ DS ）：60V

技术：4xN-CH

的RDS（on ） at10V：0.300Ohm

FET特点：Logic Level Gate

安装类型：Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：1.4A

的Vgs（th ） （最大）@ Id：3V @ 250µA

供应商设备封装：SM8

其他名称：ZXMHN6A07T8TA-ND

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：300 mOhm @ 1.8A, 10V

FET型：4 N-Channel (H-Bridge)

功率 - 最大：1.1W

漏极至源极电压（Vdss）：60V

输入电容（Ciss ） @ VDS：166pF @ 40V

闸电荷（Qg ） @ VGS：3.2nC @ 10V

封装/外壳：SOT-223-8

RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：1000

产品种类：MOSFET

晶体管极性：N-Channel

配置：Quad Dual Drain Dual Source

源极击穿电压：+/- 20 V

连续漏极电流：1.6 A

安装风格：SMD/SMT

RDS（ON）：300 mOhms

功率耗散：1600 mW

最低工作温度：- 55 C

封装/外壳：SM-8

上升时间：1.4 ns

最高工作温度：+ 150 C

漏源击穿电压：60 V

RoHS：RoHS Compliant

下降时间：1.4 ns

栅源电压（最大值）：�20 V

漏源导通电阻：0.3 ohm

工作温度范围：-55C to 150C

包装类型：SM8

极性：N

类型：Power MOSFET

元件数：4

工作温度分类：Military