制造商:Diodes Incorporated
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SO-8
通道数量:4 Channel
晶体管极性:N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续漏极电流:1.8 A, 1.42 A
Rds On-漏源导通电阻:250 mOhms, 400 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:1 V
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
Qg-栅极电荷:3.2 nC, 5.7 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:0.87 W
配置:Quad
通道模式:Enhancement
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
系列:ZXMHC6
晶体管类型:2 N-Channel, 2 P-Channel
商标:Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值:2.3 S, 1.8 S
下降时间:2 ns, 5.8 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:1.4 ns, 2.3 ns
工厂包装数量:2500
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:4.9 ns, 13 ns
典型接通延迟时间:1.8 ns, 1.6 ns
单位重量:74 mg