制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-223-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:250 V

Id-连续漏极电流:310 mA

Rds On-漏源导通电阻:8.5 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:800 mV

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:2.6 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.65 mm

长度:6.7 mm

系列:ZVN4525

晶体管类型:1 N-Channel

类型:FET

宽度:3.7 mm

商标:Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:0.3 S

下降时间:3.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:1.7 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:11.4 ns

典型接通延迟时间:1.25 ns

单位重量:112 mg