Rohs：Lead free / RoHS Compliant

标准包装：10,000

FET 型 ：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：250V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：230mA

Rds（最大）@ ID，VGS：8.5 Ohm @ 500mA, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：1.8V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：3.65nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：72pF @ 25V

功率 - 最大：1.1W

安装类型 ：Surface Mount

包/盒 ：SOT-23-6

供应商器件封装：SOT-23-6

包装材料 ：Tape & Reel (TR)

产品种类：MOSFET

RoHS：RoHS Compliant

晶体管极性：N-Channel

漏源击穿电压：250 V

源极击穿电压：+/- 40 V

连续漏极电流：230 mA

抗漏源极RDS （ ON）：9.5 Ohms

配置：Single Quad Drain

最高工作温度：+ 150 C

安装风格：SMD/SMT

封装/外壳：SOT-23-6

封装：Reel

下降时间：1.7 ns

最低工作温度：- 55 C

功率耗散：1.1 W

上升时间：1.7 ns

工厂包装数量：10000

典型关闭延迟时间：11.4 ns

FET特点：Logic Level Gate

安装类型：Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：230mA (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：1.8V @ 1mA

供应商设备封装：SOT-23-6

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：8.5 Ohm @ 500mA, 10V

FET型：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：1.1W

标准包装：10,000

漏极至源极电压（Vdss）：250V

输入电容（Ciss ） @ VDS：72pF @ 25V

闸电荷（Qg ） @ VGS：3.65nC @ 10V

RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant