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制造商:Diodes Incorporated
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-92-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:240 V
Id-连续漏极电流:260 mA
Rds On-漏源导通电阻:5.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压:800 mV
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:750 mW
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
高度:4.01 mm
长度:4.77 mm
产品:MOSFET Small Signal
系列:ZVN4424
晶体管类型:1 N-Channel
类型:FET
宽度:2.41 mm
商标:Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值:0.4 S
下降时间:16 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:5 ns
工厂包装数量:4000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:40 ns
典型接通延迟时间:2.5 ns
单位重量:453.600 mg
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