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    ZVN4306GV
    规格信息：

    制造商:Diodes Incorporated

    产品种类:MOSFET

    商标:Diodes Incorporated

    工厂包装数量:1

    型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数PDF文件相关型号第一页预览产品购买
    ZVN4306GVSOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET ZETEX[Zetex Semiconductors]ZETEX[Zetex Semiconductors]的LOGO-天天IC网118.79 Kbytes共4页ZVN4306GV的PDF文件地址ZVN4206GV,VN10LF,ZVN4306AV,ZXMN6A08G,ZXMN10A08G,ZXMN7A11K,CEH2316,CEP02N6_02,CEP51A3,CEP1012L_07 ZVN4306GV的PDF第一页预览图片 产品购买
    ZVN4306GVSOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET DIODES[Diodes Incorporated]DIODES[Diodes Incorporated]的LOGO-天天IC网125.67 Kbytes共4页ZVN4306GV的PDF文件地址 ZVN4306GV的PDF第一页预览图片 产品购买
    ZVN4306GVTAMOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223Diodes IncorporatedDiodes Incorporated的LOGO-天天IC网767.22 Kbytes共6页ZVN4306GVTA的PDF文件地址 ZVN4306GVTA的PDF第一页预览图片 产品购买
    ZVN4306GVTAMOSFET AvalancheDiodes IncorporatedDiodes Incorporated的LOGO-天天IC网498.65 Kbytes共6页ZVN4306GVTA的PDF文件地址 ZVN4306GVTA的PDF第一页预览图片 产品购买
    ZVN4306GVTA连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.1A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 1mA 漏源导通电阻：330mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W 类型：N沟道DIODES(美台)DIODES(美台)的LOGO-天天IC网537.75 Kbytes共6页ZVN4306GVTA的PDF文件地址 ZVN4306GVTA的PDF第一页预览图片 产品购买
    ZVN4306GVTCMOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223Diodes IncorporatedDiodes Incorporated的LOGO-天天IC网767.22 Kbytes共6页ZVN4306GVTC的PDF文件地址 ZVN4306GVTC的PDF第一页预览图片 产品购买
    ZVN4306GV相关型号PDF文件资料
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