制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:200 V

Id-连续漏极电流:60 mA

Rds On-漏源导通电阻:25 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:330 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.02 mm

长度:3.04 mm

产品:MOSFET Small Signal

系列:ZVN3320

晶体管类型:1 N-Channel

类型:FET

宽度:1.4 mm

商标:Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:75 mS

下降时间:6 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:7 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:6 ns

典型接通延迟时间:5 ns

单位重量:8 mg