TPR400
规格信息:

晶体管类型:NPN

电压 - 集射极击穿(最大值):55V

频率 - 跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz

增益:7.27dB

功率 - 最大值:875W

不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):10 @ 2.5A,5V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):30A

工作温度:200°C(TJ)

安装类型:底座安装

封装/外壳:55CX

供应商器件封装:55CX

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

介绍图TPR400
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TPR400high power COMMON BASE bipolar transistor. GHZTECH[GHz Technology]GHZTECH[GHz Technology]的LOGO-天天IC网274.47 Kbytes共3页TPR400的PDF文件地址TPR175,DME500,JTDA50,JTDB25,JTDB75,MDS1100,MS2473,TAN250A,TAN350,TCS800 TPR400的PDF第一页预览图片 产品购买
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