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制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOIC-8
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续漏极电流:8 A
Rds On-漏源导通电阻:21 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:1 V
Vgs - 栅极-源极电压:20 V
Qg-栅极电荷:27 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:3.2 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
资格:AEC-Q101
商标名:STripFET
系列:STS8N6LF6AG
晶体管类型:1 N-Channel
商标:STMicroelectronics
下降时间:7 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:20 ns
工厂包装数量:2500
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:56 ns
典型接通延迟时间:9.6 ns
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