包装管件

系列DeepGATE™，STripFET™

零件状态停產

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）68V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）85A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V

不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）9.8 毫欧 @ 40A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）90nC @ 10V

Vgs（最大值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）5600pF @ 25V

FET 功能-

功率耗散（最大值）150W（Tc）

工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装TO-220AB

封装/外壳TO-220-3