SPB80N06S2-09
规格信息:

标准包装:1,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:OptiMOS??

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):55V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):9.1 毫欧 @ 50A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 125µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):80nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3140pF @ 25V

功率 - 最大值:190W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

供应商器件封装:P-TO263-3

其它名称:SP000013581SPB80N06S209T

型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数PDF文件相关型号第一页预览产品购买
SPB80N06S2-09OptiMOS Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC网316.23 Kbytes共8页SPB80N06S2-09的PDF文件地址IPD04N03LA,IPI04N03LA,SPD14N06S2-80,SPD50N06S2-14,SPI80N08S2-07R,SPP100N06S2L-05,IPD05N03LA,IPI05N03LA,SPD15N06S2L-64,SPD50N06S2L-13 SPB80N06S2-09的PDF第一页预览图片 产品购买
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