SI7444DP-T1-GE3
规格信息:

产品种类:MOSFET

晶体管极性:N-Channel

汲极/源极击穿电压:30 V

闸/源击穿电压:+/- 20 V

漏极连续电流:12 A

导通电阻:6.5 mOhms

配置:Single

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK SO-8

封装:Reel

商标:Vishay / Siliconix

最小工作温度:- 55 C

功率耗散:1.9 W

系列:SI74xxDx

工厂包装数量:3000

零件号别名:SI7444DP-GE3

ROHS: 含铅

介绍图SI7444DP-T1-GE3
型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数PDF文件相关型号第一页预览产品购买
SI7444DP-T1-GE3MOSFET 40V 23.6A 5.4W 6.1mohm @ 10VVishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO-天天IC网90.99 Kbytes共6页SI7444DP-T1-GE3的PDF文件地址 SI7444DP-T1-GE3的PDF第一页预览图片 产品购买
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