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    RF1K49157
    规格信息：

    制造商:Fairchild Semiconductor

    产品种类:MOSFET

    RoHS:否

    Id-连续漏极电流:6.3 A

    Vds-漏源极击穿电压:30 V

    Rds On-漏源导通电阻:30 mOhms

    晶体管极性:N-Channel

    Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

    最大工作温度:+ 150 C

    Pd-功率耗 2000 散:2 W

    安装风格:SMD/SMT

    封装 / 箱体:SOP-8

    商标:Fairchild Semiconductor

    通道模式:Enhancement

    配置:Single Quad Drain Dual Source

    下降时间:85 ns

    最小工作温度:- 55 C

    上升时间:43 ns

    系列:RF1K49157

    典型关闭延迟时间:125 ns

    典型接通延迟时间:22 ns

    介绍图RF1K49157
    型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数PDF文件相关型号第一页预览产品购买
    RF1K491576.3A, 30V, Avalanche Rated, Single N-Channel LittleFET™ Enhancement Mode Power MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC网208.33 Kbytes共7页RF1K49157的PDF文件地址RF1K49086,RF1K49088,RF1K49157,DE150-501N04A,DE150-102N02A,ZDM4206N,ZXMN3AM832,IXTH7P50,IXTH10P50,RF1K49156 RF1K49157的PDF第一页预览图片 产品购买
    RF1K491576.3A, 30V, 0.030 Ohm, Single N-Channel LittleFET™ Power MOSFET INTERSIL[Intersil Corporation]INTERSIL[Intersil Corporation]的LOGO-天天IC网149.84 Kbytes共8页RF1K49157的PDF文件地址RF1K49156,RF1K49156,RF1K49157,HP4410DY,RF1K49086,RF1K49088,RF1K49211,HP4410DY,HUF76113SK8,RF1K49211 RF1K49157的PDF第一页预览图片 产品购买
    RF1K49157相关型号PDF文件资料
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