FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1.5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：4.2nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：325pF @ 10V

FET 功能：肖特基二极管（隔离式）

功率耗散（最大值）：1.25W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：200 毫欧 @ 1.5A，4.5V

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：TSMT5

封装/外壳：SOT-23-5细型，TSOT-23-5

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs