NVTFS5826NLTWG
规格信息:

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:WDFN-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:20 A

Rds On-漏源导通电阻:25 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:16 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:22 W

配置:Single

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:NVTFS5826NL

晶体管类型:1 N-Channel

商标:ON Semiconductor

正向跨导 - 最小值:8 S

下降时间:21 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:29 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:14 ns

典型接通延迟时间:9 ns

单位重量:29.500 mg

介绍图NVTFS5826NLTWG
型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数PDF文件相关型号第一页预览产品购买
NVTFS5826NLTWG60 V, 24 m, 20 A, Single N−Channel ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO-天天IC网125.56 Kbytes共6页NVTFS5826NLTWG的PDF文件地址 NVTFS5826NLTWG的PDF第一页预览图片 产品购买
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