NTD3055L170T4G
规格信息:

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:9 A

Rds On-漏源导通电阻:170 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:5 V

Qg-栅极电荷:4.7 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:28.5 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.38 mm

长度:6.73 mm

系列:NTD3055L170

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MOSFET

宽度:6.22 mm

商标:ON Semiconductor

正向跨导 - 最小值:7.3 S

下降时间:38 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:69 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:10 ns

典型接通延迟时间:9.7 ns

单位重量:4 g

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