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    NCE7560K
    规格信息：

    商品类型MOS(场效应管)

    漏源电压（Vdss）75V

    连续漏极电流（Id）（25°C 时）60A

    栅源极阈值电压4V @ 250uA

    漏源导通电阻8.5mΩ @ 30A,10V

    最大功率耗散（Ta=25°C）140W

    类型N沟道

    型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数PDF文件相关型号第一页预览产品购买
    NCE7560KNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET NCEPOWER[Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd]NCEPOWER[Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd]的LOGO-天天IC网420.85 Kbytes共7页NCE7560K的PDF文件地址 NCE7560K的PDF第一页预览图片 产品购买
    NCE7560KN-Channel 80 V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO-天天IC网1029.19 Kbytes共9页NCE7560K的PDF文件地址 NCE7560K的PDF第一页预览图片 产品购买
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