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商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)150A(Tc)
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻4mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)130W(Tc)
类型N沟道
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