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    MXLPLAD18KP110CAE3
    规格信息：

    类型：齐纳

    双向通道：1

    电压 - 反向关态（典型值）：110V

    电压 - 击穿（最小值）：122V

    电压 - 箝位（最大值）@ Ipp：177V

    电流 - 峰值脉冲（10/1000µs）：102A

    功率 - 峰值脉冲：18000W（18kW）

    电源线路保护：无

    应用：通用

    工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安装类型：表面贴装

    封装/外壳：非标准型 SMD

    供应商器件封装：PLAD

    无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

    介绍图MXLPLAD18KP110CAE3
    型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数PDF文件相关型号第一页预览产品购买
    MXLPLAD18KP110CAE3ESD 抑制器/TVS 二极管 18kW Bi-Directional -55C to 150CMicrosemiMicrosemi的LOGO-天天IC网1013.30 Kbytes共10页MXLPLAD18KP110CAE3的PDF文件地址 MXLPLAD18KP110CAE3的PDF第一页预览图片 产品购买
    MXLPLAD18KP110CAE3TVS DIODE 110V 177V PLADMicrochip TechnologyMicrochip Technology的LOGO-天天IC网530.15 Kbytes共8页MXLPLAD18KP110CAE3的PDF文件地址 MXLPLAD18KP110CAE3的PDF第一页预览图片 产品购买
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    MXLPLAD18KP110CAE3相关型号规格信息
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