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    ME4435
    规格信息：

    商品类型MOS(场效应管)

    漏源电压（Vdss）-30V

    连续漏极电流（Id）（25°C 时）8.8A

    栅源极阈值电压3V @ 250uA

    漏源导通电阻20mΩ @ 9.1A,10V

    最大功率耗散（Ta=25°C）2.5W

    类型P沟道

    介绍图ME4435
    型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数PDF文件相关型号第一页预览产品购买
    ME4435P-Channel 30-V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO-天天IC网1003.07 Kbytes共9页ME4435的PDF文件地址 ME4435的PDF第一页预览图片 产品购买
    ME4435AP-Channel 30-V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO-天天IC网1003.02 Kbytes共9页ME4435A的PDF文件地址 ME4435A的PDF第一页预览图片 产品购买
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