制造商:IXYS

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:500 V

Id-连续漏极电流:3 A

Rds On-漏源导通电阻:1.5 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:40 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:125 W

配置:Single

封装:Tube

高度:16 mm

长度:10.66 mm

系列:IXTP3N50

晶体管类型:1 N-Channel

类型:Depletion Mode MOSFET

宽度:4.83 mm

商标:IXYS

正向跨导 - 最小值:1.3 S

下降时间:42 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:71 ns

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:56 ns

典型接通延迟时间:27 ns

单位重量:2.300 g