制造商:IXYS
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:Chassis Mount
封装 / 箱体:SOT-227-4
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:600 V
Id-连续漏极电流:72 A
Rds On-漏源导通电阻:75 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:5 V
Vgs - 栅极-源极电压:30 V
Qg-栅极电荷:240 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:1.04 kW
配置:Single
通道模式:Enhancement
商标名:HiPerFET
封装:Tube
高度:12.22 mm
长度:38.23 mm
系列:IXFN82N60
晶体管类型:1 N-Channel
类型:Polar HiPerFET Power MOSFET
宽度:25.42 mm
商标:IXYS
正向跨导 - 最小值:50 S
下降时间:24 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:23 ns
工厂包装数量:10
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:79 ns
典型接通延迟时间:28 ns
单位重量:30 g