IXFN82N60P
规格信息:

制造商:IXYS

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Chassis Mount

封装 / 箱体:SOT-227-4

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:72 A

Rds On-漏源导通电阻:75 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:5 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:240 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.04 kW

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:HiPerFET

封装:Tube

高度:12.22 mm

长度:38.23 mm

系列:IXFN82N60

晶体管类型:1 N-Channel

类型:Polar HiPerFET Power MOSFET

宽度:25.42 mm

商标:IXYS

正向跨导 - 最小值:50 S

下降时间:24 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:23 ns

工厂包装数量:10

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:79 ns

典型接通延迟时间:28 ns

单位重量:30 g

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