ISL6612AECBZ-T
规格信息:

驱动配置:半桥

通道类型:同步

驱动器数:2

栅极类型:N 沟道 MOSFET

电压 - 电源:10.8 V ~ 13.2 V

电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.25A,2A

输入类型:非反相

高压侧电压 - 最大值(自举):36V

上升/下降时间(典型值):26ns,18ns

工作温度:0°C ~ 125°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘

供应商器件封装:8-SOIC-EP

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

介绍图ISL6612AECBZ-T
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