封装/外壳：IPAK
FET 类型：P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：11A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：175 毫欧 @ 6.6A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：19nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：350pF @ 25V
功率耗散（最大值）：38W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
系列：HEXFET®
FET类型：P 沟道
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：11A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：19nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：350pF @ 25V
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：175 毫欧 @ 6.6A，10V
封装形式Package：IPAK
极性Polarity：P-CH
漏源极击穿电压VDSS：55V
连续漏极电流ID：11A
供应商器件封装：IPAK（TO-251）
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs