制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

Id-连续漏极电流:64 A

Vds-漏源极击穿电压:250 V

Rds On-漏源导通电阻:20 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Qg-栅极电荷:64 nC

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:300 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:D2PAK-3

封装:Reel

商标:Infineon Technologies

下降时间:12 ns

正向跨导 - 最小值:122 S, 61 S122 S, 61 S

最小工作温度:- 55 C

上升时间:20 ns

系列:OptiMOS 3

工厂包装数量:1000

商标名:OptiMOS

典型关闭延迟时间:45 ns

典型接通延迟时间:18 ns

零件号别名:IPB200N25N3GATMA1 IPB200N25N3GXT SP000677896