HAT2050T-EL-E
规格信息:

包装:8TSSOP

通道模式:Enhancement

最大漏源电压:100 V

最大连续漏极电流:1 A

RDS -于:750@10V mOhm

最大门源电压:±20 V

典型导通延迟时间:11 ns

典型上升时间:24 ns

典型关闭延迟时间:14 ns

工作温度:-55 to 150 °C

安装:Surface Mount

介绍图HAT2050T-EL-E
型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数PDF文件相关型号第一页预览产品购买
HAT2050T-EL-ESilicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching RENESAS[Renesas Technology Corp]RENESAS[Renesas Technology Corp]的LOGO-天天IC网98.03 Kbytes共8页HAT2050T-EL-E的PDF文件地址RJK6014DPP,RJK6014DPK,HAT2092R,2SK2957,2SK2912,2SK3141,2SK3161,RJK2006DPJ,RJK6011DJE,H7N0308LD HAT2050T-EL-E的PDF第一页预览图片 产品购买
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