FSL13A0R3
规格信息:

制造商:Fairchild Semiconductor

产品种类:MOSFET

Id-连续漏极电流:9 A

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Rds On-漏源导通电阻:180 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:25 W

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-205AF-3

商标:Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:30 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:80 ns

系列:FSL13A0

典型关闭延迟时间:45 ns

典型接通延迟时间:20 ns

介绍图FSL13A0R3
型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数PDF文件相关型号第一页预览产品购买
FSL13A0R39A, 100V, 0.180 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs INTERSIL[Intersil Corporation]INTERSIL[Intersil Corporation]的LOGO-天天IC网71.78 Kbytes共8页FSL13A0R3的PDF文件地址FSF150D,FSJ160D,FSL110D,FSL130D,FSS130D,FSS13A0D,FSYA250D,FSL230D,FRL130D,FSL234D FSL13A0R3的PDF第一页预览图片 产品购买
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