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    FIR7N65FG
    规格信息：

    商品类型MOS(场效应管)

    漏源电压（Vdss）650V

    连续漏极电流（Id）（25°C 时）7A

    栅源极阈值电压4V @ 250uA

    漏源导通电阻1.4Ω @ 3.5A,10V

    最大功率耗散（Ta=25°C）145W

    类型N沟道

    介绍图FIR7N65FG
    型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数PDF文件相关型号第一页预览产品购买
    FIR7N65FGAdvanced N-Ch Power MOSFET-I FOSTER[Shenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.]FOSTER[Shenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.]的LOGO-天天IC网2824.86 Kbytes共8页FIR7N65FG的PDF文件地址 FIR7N65FG的PDF第一页预览图片 产品购买
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