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    FDB14AN06LA0-F085
    规格信息：

    制造商:ON Semiconductor

    产品种类:MOSFET

    RoHS:是

    技术:Si

    安装风格:SMD/SMT

    封装 / 箱体:TO-263-3

    通道数量:1 Channel

    晶体管极性:N-Channel

    Vds-漏源极击穿电压:60 V

    Id-连续漏极电流:67 A

    Rds On-漏源导通电阻:12.8 mOhms

    最小工作温度:- 55 C

    最大工作温度:+ 175 C

    Pd-功率耗散:125 W

    配置:Single

    资格:AEC-Q101

    封装:Cut Tape

    封装:MouseReel

    封装:Reel

    高度:4.83 mm

    长度:10.67 mm

    系列:FDB14AN06L_F085

    晶体管类型:1 N-Channel

    宽度:9.65 mm

    商标:ON Semiconductor / Fairchild

    产品类型:MOSFET

    工厂包装数量:800

    子类别:MOSFETs

    零件号别名:FDB14AN06LA0_F085

    单位重量:1.312 g

    介绍图FDB14AN06LA0-F085
    型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数PDF文件相关型号第一页预览产品购买
    FDB14AN06LA0-F085MOSFET 60V N-CHAN PwrTrenchON Semiconductor / FairchildON Semiconductor / Fairchild的LOGO-天天IC网415.76 Kbytes共14页FDB14AN06LA0-F085的PDF文件地址 FDB14AN06LA0-F085的PDF第一页预览图片 产品购买
    FDB14AN06LA0-F085MOSFET N-CH 60V 67A D2PAKON SemiconductorON Semiconductor的LOGO-天天IC网849.16 Kbytes共12页FDB14AN06LA0-F085的PDF文件地址 FDB14AN06LA0-F085的PDF第一页预览图片 产品购买
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